casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / DR1030-680-R
Número da peça de fabricante | DR1030-680-R |
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Número da peça futura | FT-DR1030-680-R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DR1030 |
DR1030-680-R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 68µH |
Tolerância | ±30% |
Classificação atual | 1.1A |
Atual - saturação | 1.24A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 303.7 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.413" L x 0.406" W (10.50mm x 10.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.118" (3.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DR1030-680-R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DR1030-680-R-FT |
MGV06034R7M-12
Laird-Signal Integrity Products
MGV0603R22N-10
Laird-Signal Integrity Products
MGV1004R15N-10
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MGV1004R22M-10
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MGV1205150M-10
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MGV1207150M-10
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PE-53608NLT
Pulse Electronics Power
PE-54041SNLT
Pulse Electronics Power
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel