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Número da peça de fabricante | DR1030-2R8-R |
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Número da peça futura | FT-DR1030-2R8-R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DR1030 |
DR1030-2R8-R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 2.8µH |
Tolerância | ±30% |
Classificação atual | 5.1A |
Atual - saturação | 6.08A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 14.5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.413" L x 0.406" W (10.50mm x 10.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.118" (3.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DR1030-2R8-R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DR1030-2R8-R-FT |
9405-60
API Delevan Inc.
9405R-01
API Delevan Inc.
9405R-02
API Delevan Inc.
9405R-04
API Delevan Inc.
9405R-06
API Delevan Inc.
9405R-08
API Delevan Inc.
9405R-10
API Delevan Inc.
9405R-12
API Delevan Inc.
9405R-14
API Delevan Inc.
9405R-16
API Delevan Inc.
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel