casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMTH6016LFDFW-13
Número da peça de fabricante | DMTH6016LFDFW-13 |
---|---|
Número da peça futura | FT-DMTH6016LFDFW-13 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
DMTH6016LFDFW-13 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 9.4A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 925pF @ 30V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.06W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | U-DFN2020-6 |
Pacote / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMTH6016LFDFW-13 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DMTH6016LFDFW-13-FT |
BSP75GQTA
Diodes Incorporated
DMG1012T-13
Diodes Incorporated
DMG3414UQ-13
Diodes Incorporated
DMG4N65CTI
Diodes Incorporated
DMN1004UFDF-7
Diodes Incorporated
DMN10H220LQ-13
Diodes Incorporated
DMN2026UVT-13
Diodes Incorporated
DMN2040UVT-13
Diodes Incorporated
DMN2058U-13
Diodes Incorporated
DMN31D6UT-13
Diodes Incorporated
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel