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Diodes Incorporated DMTH43M8LPSQ-13

Name: DMTH43M8LPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH43M8LPSQ-13
Price: 0.49444 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (429 reviews)

Número da peça MFG: DMTH43M8LPSQ-13

Quantidade disponível: 50170 Peças

Preço de referência: USD 0.49444

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fabricante: Diodes Incorporated

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101 MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: DMTH43M8LPSQ-13.pdf

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DMTH43M8LPSQ-13 Especificações

Número da peça de fabricante	DMTH43M8LPSQ-13
Número da peça futura	FT-DMTH43M8LPSQ-13
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101
DMTH43M8LPSQ-13 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	22A (Ta), 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3.367nF @ 20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.7W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PowerDI5060-8
Pacote / caso	8-PowerTDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMTH43M8LPSQ-13 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	DMTH43M8LPSQ-13-FT

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