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Diodes Incorporated DMT10H025SK3-13

Name: DMT10H025SK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H025SK3-13
Price: 0.222576 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (477 reviews)

Número da peça MFG: DMT10H025SK3-13

Quantidade disponível: 90630 Peças

Preço de referência: USD 0.222576

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fabricante: Diodes Incorporated

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101 MOSFET BVDSS 61V-100V TO252 TR

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: DMT10H025SK3-13.pdf

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DMT10H025SK3-13 Especificações

Número da peça de fabricante	DMT10H025SK3-13
Número da peça futura	FT-DMT10H025SK3-13
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101
DMT10H025SK3-13 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	41.2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	21.4nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1544pF @ 50V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.4W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT10H025SK3-13 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	DMT10H025SK3-13-FT

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