casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMN2011UTS-13
Número da peça de fabricante | DMN2011UTS-13 |
---|---|
Número da peça futura | FT-DMN2011UTS-13 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DMN2011UTS-13 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2248pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.3W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-TSSOP |
Pacote / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2011UTS-13 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DMN2011UTS-13-FT |
SPB80N06S2L-09
Infineon Technologies
SPB80N06S2L-11
Infineon Technologies
SPB80N06S2L-H5
Infineon Technologies
SPB80N08S2-07
Infineon Technologies
SPB80N08S2L-07
Infineon Technologies
SPB80N10L
Infineon Technologies
SPB80N10L G
Infineon Technologies
SPB80P06P
Infineon Technologies
SQM100N04-2M7_GE3
Vishay Siliconix
SQM120N03-1M5L_GE3
Vishay Siliconix
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel