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Diodes Incorporated DMN2005UFG-13

Name: DMN2005UFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2005UFG-13
Price: 0.219456 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (487 reviews)

Número da peça MFG: DMN2005UFG-13

Quantidade disponível: 39410 Peças

Preço de referência: USD 0.219456

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fabricante: Diodes Incorporated

Descrição breve: - MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: DMN2005UFG-13.pdf

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DMN2005UFG-13 Especificações

Número da peça de fabricante	DMN2005UFG-13
Número da peça futura	FT-DMN2005UFG-13
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
DMN2005UFG-13 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	18.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	164nC @ 10V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6495pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.05W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PowerDI3333-8
Pacote / caso	8-PowerWDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN2005UFG-13 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	DMN2005UFG-13-FT

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