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Diodes Incorporated DMN2005LP4K-7
- Número da peça MFG
- DMN2005LP4K-7
- Quantidade disponível
- 27440 Peças
- Preço de referência
- USD 0.09592
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Diodes Incorporated
- Descrição breve
- - MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- DMN2005LP4K-7.pdf
DMN2005LP4K-7 Especificações
| Número da peça de fabricante | DMN2005LP4K-7 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-DMN2005LP4K-7 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| DMN2005LP4K-7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 100µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (máx.) | ±10V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 41pF @ 3V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 400mW (Ta) |
| Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | X2-DFN1006-3 |
| Pacote / caso | 3-XFDFN |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DMN2005LP4K-7 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | DMN2005LP4K-7-FT |
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