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Diodes Incorporated DMN10H099SFG-7

Name: DMN10H099SFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H099SFG-7
Price: 0.236944 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (453 reviews)

Número da peça MFG: DMN10H099SFG-7

Quantidade disponível: 28300 Peças

Preço de referência: USD 0.236944

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fabricante: Diodes Incorporated

Descrição breve: - MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: DMN10H099SFG-7.pdf

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DMN10H099SFG-7 Especificações

Número da peça de fabricante	DMN10H099SFG-7
Número da peça futura	FT-DMN10H099SFG-7
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
DMN10H099SFG-7 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	4.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	25.2nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1172pF @ 50V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	980mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PowerDI3333-8
Pacote / caso	8-PowerWDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN10H099SFG-7 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	DMN10H099SFG-7-FT

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