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Diodes Incorporated DMJ70H1D3SI3

Número da peça MFG
DMJ70H1D3SI3
Quantidade disponível
83800 Peças
Preço de referência
USD 0.76096
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
Diodes Incorporated
Descrição breve
- MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
DMJ70H1D3SI3.pdf
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DMJ70H1D3SI3 Especificações

Número da peça de fabricante DMJ70H1D3SI3
Número da peça futura FT-DMJ70H1D3SI3
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
DMJ70H1D3SI3 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 700V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 4.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 13.9nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 351pF @ 50V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 41W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-251
Pacote / caso TO-251-3 Stub Leads, IPak
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMJ70H1D3SI3 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição DMJ70H1D3SI3-FT

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