casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / DMG963HE0R
Número da peça de fabricante | DMG963HE0R |
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Número da peça futura | FT-DMG963HE0R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DMG963HE0R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V, 30V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms, 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA / 1.2V @ 330µA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 125mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-665 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SSMini5-F4-B |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG963HE0R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DMG963HE0R-FT |
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