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Diodes Incorporated DMG4N60SK3-13

Número da peça MFG
DMG4N60SK3-13
Quantidade disponível
91020 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Diodes Incorporated
Descrição breve
- MOSFET BVDSS 501V 650V TO252 T
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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DMG4N60SK3-13 Especificações

Número da peça de fabricante DMG4N60SK3-13
Número da peça futura FT-DMG4N60SK3-13
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
DMG4N60SK3-13 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 3.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 14.3nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 532pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 48W (Ta)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-252
Pacote / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMG4N60SK3-13 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição DMG4N60SK3-13-FT

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