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Diodes Incorporated DMG3415UFY4-7

Name: DMG3415UFY4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG3415UFY4-7
Availability: InStock
Rating: 4.7 (696 reviews)

Número da peça MFG: DMG3415UFY4-7

Quantidade disponível: 60790 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Diodes Incorporated

Descrição breve: - MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: DMG3415UFY4-7.pdf

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DMG3415UFY4-7 Especificações

Número da peça de fabricante	DMG3415UFY4-7
Número da peça futura	FT-DMG3415UFY4-7
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
DMG3415UFY4-7 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	16V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	2.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	39 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	281.9pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	400mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	DFN2015H4-3
Pacote / caso	3-XFDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMG3415UFY4-7 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	DMG3415UFY4-7-FT

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