casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / DME2333-000
Número da peça de fabricante | DME2333-000 |
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Número da peça futura | FT-DME2333-000 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DME2333-000 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky - Single |
Tensão - pico reverso (máximo) | 3V |
Corrente - Max | 100mA |
Capacitância @ Vr, F | 0.15pF @ 0V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 13 Ohm @ 5mA, 18GHz |
Dissipação de energia (máx.) | 75mW |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C (TA) |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DME2333-000 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DME2333-000-FT |
UPP1001E3/TR13
Microsemi Corporation
UPP1001E3/TR7
Microsemi Corporation
UPP1002/TR13
Microsemi Corporation
UPP1002/TR7
Microsemi Corporation
UPP1002E3/TR13
Microsemi Corporation
UPP1002E3/TR7
Microsemi Corporation
UPP1004/TR13
Microsemi Corporation
UPP1004/TR7
Microsemi Corporation
UPP1004E3/TR13
Microsemi Corporation
UPP1004E3/TR7
Microsemi Corporation
XC2V250-5FGG456C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FG484C
Xilinx Inc.
EP1M120F484C7ES
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
5SGXEA3K2F35C2LN
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
AGLP060V2-CSG289I
Microsemi Corporation
LFXP15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4N
Intel
EP20K200CB356C7
Intel