casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / DME2333-000
Número da peça de fabricante | DME2333-000 |
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Número da peça futura | FT-DME2333-000 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DME2333-000 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky - Single |
Tensão - pico reverso (máximo) | 3V |
Corrente - Max | 100mA |
Capacitância @ Vr, F | 0.15pF @ 0V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 13 Ohm @ 5mA, 18GHz |
Dissipação de energia (máx.) | 75mW |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C (TA) |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DME2333-000 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DME2333-000-FT |
UPP1001E3/TR13
Microsemi Corporation
UPP1001E3/TR7
Microsemi Corporation
UPP1002/TR13
Microsemi Corporation
UPP1002/TR7
Microsemi Corporation
UPP1002E3/TR13
Microsemi Corporation
UPP1002E3/TR7
Microsemi Corporation
UPP1004/TR13
Microsemi Corporation
UPP1004/TR7
Microsemi Corporation
UPP1004E3/TR13
Microsemi Corporation
UPP1004E3/TR7
Microsemi Corporation
XC7K325T-1FBG676I
Xilinx Inc.
AGLN020V5-CSG81I
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
APA150-TQ100
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U1F45E1SG
Intel
EP1S30F780C6
Intel
EP1C12Q240C7
Intel