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Número da peça de fabricante | DG411LEDY-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-DG411LEDY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DG411LEDY-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Circuito De Comutador | SPST - NC |
Circuito Multiplexador / Demultiplexador | 1:1 |
Número de circuitos | 4 |
Resistência no estado (máx.) | 26 Ohm |
Correspondência canal a canal (& Delta; Ron) | - |
Voltagem - Abastecimento Individual (V +) | 3V ~ 16V |
Tensão - Alimentação, Dual (V ±) | ±3V ~ 8V |
Tempo de comutação (Ton, Toff) (Max) | 50ns, 30ns |
-3db de largura de banda | - |
Injeção de Carga | 6.6pC |
Capacitância do canal (CS (desligado), CD (desligado)) | 5pF, 6pF |
Corrente - Vazamento (IS (desligado)) (máx.) | 1nA |
Crosstalk | -114dB @ 1MHz |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Pacote / caso | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 16-SOIC |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DG411LEDY-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DG411LEDY-T1-GE3-FT |
MAX4680CAE+T
Maxim Integrated
MAX4690EAE+T
Maxim Integrated
SN74LV4051ADBRG4
Texas Instruments
TS3A5018DBQRE4
Texas Instruments
ISL84051IAZ
Renesas Electronics America Inc.
ADG658YRQ
Analog Devices Inc.
ADG658YRQ-REEL
Analog Devices Inc.
ADG658YRQ-REEL7
Analog Devices Inc.
ADG659YRQ
Analog Devices Inc.
ADG659YRQ-REEL
Analog Devices Inc.
LCMXO640E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-4FGG320C
Xilinx Inc.
AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43I2L
Intel
5SGXMB5R2F43I2N
Intel
XC5VSX50T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
XC7VX1140T-1FLG1930C
Xilinx Inc.
XC7K70T-1FB676I
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780C5
Intel