casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / DFE252012R-H-1R0M=P2
Número da peça de fabricante | DFE252012R-H-1R0M=P2 |
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Número da peça futura | FT-DFE252012R-H-1R0M=P2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DFE252012R |
DFE252012R-H-1R0M=P2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 1µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 3.1A |
Atual - saturação | 3.4A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 49 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252012R-H-1R0M=P2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DFE252012R-H-1R0M=P2-FT |
LQG15WZ12NJ02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ13NH02D
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LQG15WZ13NJ02D
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XC6SLX150T-2CSG484I
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Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
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