casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / DFE252008C-4R7M=P2
Número da peça de fabricante | DFE252008C-4R7M=P2 |
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Número da peça futura | FT-DFE252008C-4R7M=P2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DFE252008C |
DFE252008C-4R7M=P2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 4.7µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.1A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 438 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.032" (0.80mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252008C-4R7M=P2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DFE252008C-4R7M=P2-FT |
1277AS-H-4R7M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-2R2M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-100M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-1R5M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-3R3M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-6R8M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-R47M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-R68M=P2
Murata Electronics North America
1276AS-H-100M=P2
Murata Electronics North America
1276AS-H-1R5M=P2
Murata Electronics North America
XC6SLX150T-2CSG484I
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A54SX16A-FG256M
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5SGXEABN2F45C2LN
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XC4006E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8820ARC208-2
Intel
EP1S40F1020C6
Intel