casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / DFE201610P-R24M=P2
Número da peça de fabricante | DFE201610P-R24M=P2 |
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Número da peça futura | FT-DFE201610P-R24M=P2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DFE201610P |
DFE201610P-R24M=P2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 240nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 5.4A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 26 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE201610P-R24M=P2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DFE201610P-R24M=P2-FT |
LQG15WZ5N6C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ5N6S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ6N2C02D
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LQG15WZ6N2S02D
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LQG15WZ6N8H02D
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LQG15WZ6N8J02D
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LQG15WZ7N5H02D
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LQG15WZ7N5J02D
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LQG15WZ8N2H02D
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LQG15WZ8N2J02D
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Xilinx Inc.
M7A3P1000-2PQ208I
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
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Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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