casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / DFE18SANR47MG0L
Número da peça de fabricante | DFE18SANR47MG0L |
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Número da peça futura | FT-DFE18SANR47MG0L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DFE18SAN |
DFE18SANR47MG0L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Metal |
Indutância | 470nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 2.6A |
Atual - saturação | 3.6A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 54 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE18SANR47MG0L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DFE18SANR47MG0L-FT |
DFE252010R-H-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010R-H-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010R-H-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010R-H-4R7M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012P-3R3M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012P-R33M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R15M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R24M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R47M=P2
Murata Electronics North America
XCKU035-2FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG400
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5CGXBC4C6F27C7N
Intel
10CL055YF484I7G
Intel
EPF10K50VFC484-1
Intel
5SGXMB6R3F40I3N
Intel
XC5VLX220-1FF1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation