casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / DFE18SAN1R0MG0L
Número da peça de fabricante | DFE18SAN1R0MG0L |
---|---|
Número da peça futura | FT-DFE18SAN1R0MG0L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DFE18SAN |
DFE18SAN1R0MG0L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Metal |
Indutância | 1µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.7A |
Atual - saturação | 2.1A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 128 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE18SAN1R0MG0L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DFE18SAN1R0MG0L-FT |
DFE252010P-R33M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010P-R68M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010R-H-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010R-H-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010R-H-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010R-H-4R7M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012P-3R3M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012P-R33M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R15M=P2
Murata Electronics North America
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation