casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / DFE18SAN1R0ME0L
Número da peça de fabricante | DFE18SAN1R0ME0L |
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Número da peça futura | FT-DFE18SAN1R0ME0L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DFE18SAN |
DFE18SAN1R0ME0L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Metal |
Indutância | 1µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.6A |
Atual - saturação | 2A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 144 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.032" (0.80mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE18SAN1R0ME0L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DFE18SAN1R0ME0L-FT |
DFE252010R-H-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010R-H-4R7M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012P-3R3M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012P-R33M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R15M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R24M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R47M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R68M=P2
Murata Electronics North America
DFE252008C-1R0M=P2
Murata Electronics North America
A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel