casa / produtos / Capacitores / Condensadores Cerâmicos / DE2E3KY332MN3AM02F
Número da peça de fabricante | DE2E3KY332MN3AM02F |
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Número da peça futura | FT-DE2E3KY332MN3AM02F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | KY |
DE2E3KY332MN3AM02F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Capacitância | 3300pF |
Tolerância | ±20% |
Voltagem - Rated | 250V |
Coeficiente de temperatura | E |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Características | High Voltage |
Classificações | X1, Y2 |
Aplicações | Safety |
Taxa de falha | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial, Disc |
Tamanho / dimensão | 0.354" Dia (9.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.472" (12.00mm) |
Espessura (Max) | - |
Espaçamento de chumbo | 0.295" (7.50mm) |
Estilo de chumbo | Formed Leads |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DE2E3KY332MN3AM02F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DE2E3KY332MN3AM02F-FT |
RHSN12A224K2DGH01A
Murata Electronics North America
RHSN12A333K1A2H01B
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RHSN12A472K0A2H01B
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XC6SLX150-2FGG676I
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AGL030V2-VQ100
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5SGXMA7K3F35C2N
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XC7VX485T-1FFG1158I
Xilinx Inc.
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FBG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640C-5MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80B956C6
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EP2S90F1020C5N
Intel