casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / DDB2U30N08VRBOMA1
Número da peça de fabricante | DDB2U30N08VRBOMA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-DDB2U30N08VRBOMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DDB2U30N08VRBOMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuração | 3 Independent |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 25A |
Potência - Max | 83.5W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.55V @ 15V, 20A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 880pF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDB2U30N08VRBOMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DDB2U30N08VRBOMA1-FT |
CM15TF-24H
Powerex Inc.
CM200DU-12H
Powerex Inc.
CM200DU-24H
Powerex Inc.
CM200DU-24NFH
Powerex Inc.
CM200DY-24H
Powerex Inc.
CM200DY-28H
Powerex Inc.
CM200DY-34A
Powerex Inc.
CM200E3U-12H
Powerex Inc.
CM200HA-24H
Powerex Inc.
CM200RL-12NF
Powerex Inc.
A54SX16A-TQ144M
Microsemi Corporation
XC7K70T-2FBG676I
Xilinx Inc.
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
M7AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
EP4CE40U19I7N
Intel
EPF10K50SFC256-1N
Intel
10CL006ZE144I8G
Intel
5SGXEBBR3H43C2LN
Intel
A42MX16-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC33E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation