casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / DDA143EH-7
Número da peça de fabricante | DDA143EH-7 |
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Número da peça futura | FT-DDA143EH-7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DDA143EH-7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 4.7 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-563 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDA143EH-7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DDA143EH-7-FT |
BCR 133S H6444
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BCR 141S E6727
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10M25DAF256I6G
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EP4SGX230KF40C2N
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EP4SE530F43C3NES
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5SGXMA4H2F35C2N
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XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400I7
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