casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / DD1200S33KL2CB5NOSA1
Número da peça de fabricante | DD1200S33KL2CB5NOSA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-DD1200S33KL2CB5NOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DD1200S33KL2CB5NOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 2 Independent |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 3300V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 1200A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 3.5V @ 1200A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1700A @ 1800V |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Block, 4 Lead |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DD1200S33KL2CB5NOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DD1200S33KL2CB5NOSA1-FT |
BYV430W-300PQ
WeEn Semiconductors
CC240610
Powerex Inc.
CC240650
Powerex Inc.
CC2406500N
Powerex Inc.
CC241210
Powerex Inc.
CC241250
Powerex Inc.
CD240602
Powerex Inc.
CD240650
Powerex Inc.
CD2406500N
Powerex Inc.
CD241202
Powerex Inc.
AT40K05-2BQI
Microchip Technology
LFEC6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEB9R2H43I2L
Intel
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
XC7VX330T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
LFXP10E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29C6
Intel
EP2SGX90FF1508C3
Intel
EP1C20F400C8N
Intel