
| Número da peça de fabricante | DBF10G |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-DBF10G |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| DBF10G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo de Diodo | Single Phase |
| Tecnologia | Standard |
| Tensão - pico reverso (máximo) | 600V |
| Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 500mA |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 600V |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / caso | 4-SIP, DBF |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DBF10G Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | DBF10G-FT |

TS25P01G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P01GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P01GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P02G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P02G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P02GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P02GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P03G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P03G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P03GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.

M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation

M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation

EP3SE260F1517I3
Intel

XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.

LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation

10AX090U4F45E3LG
Intel

EP4SGX180DF29C2X
Intel