casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / DBD10G-TM-E
Número da peça de fabricante | DBD10G-TM-E |
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Número da peça futura | FT-DBD10G-TM-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DBD10G-TM-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 500mA |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 4-SMD, Gull Wing |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBD10G-TM-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DBD10G-TM-E-FT |
TS8P06G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS8P06GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS8P06GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P01G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P01GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P01GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P02G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P02G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P02GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P02GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
APA150-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8
Intel
EP1K100FI256-2N
Intel
5SGXMA7N2F45C3
Intel
5SGXMA7K3F35C4
Intel
A3P125-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45E1SG
Intel
EP4SGX180FF35I4N
Intel