casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / DBD10G-E
Número da peça de fabricante | DBD10G-E |
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Número da peça futura | FT-DBD10G-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DBD10G-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 500mA |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBD10G-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DBD10G-E-FT |
TS50P06GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS50P07G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS50P07GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS50P07GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS6P04GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS6P05G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS6P05GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS6P07G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS6P07G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS8P01G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240
Microsemi Corporation
A1020B-2PLG68I
Microsemi Corporation
EP2S60F672I4N
Intel
5SGXEA4K3F40I3N
Intel
EP3C16E144I7N
Intel
XC5VSX35T-3FFG665C
Xilinx Inc.
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP6C-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29I3G
Intel