casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / DB6X314K0R
Número da peça de fabricante | DB6X314K0R |
---|---|
Número da peça futura | FT-DB6X314K0R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DB6X314K0R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 3 Independent |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 30mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 30mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 1ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 300nA @ 30V |
Temperatura de funcionamento - junção | 125°C (Max) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-23-6 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Mini6-G4-B |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB6X314K0R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DB6X314K0R-FT |
LXA08T600C
Power Integrations
LXA12T600C
Power Integrations
APT10SCD65KCT
Microsemi Corporation
APT15S20KCTG
Microsemi Corporation
APT8DQ60KCTG
Microsemi Corporation
BYQ42E-200Q
WeEn Semiconductors
BYV32E-200PQ
WeEn Semiconductors
FST20150
Microsemi Corporation
FST20150E3
Microsemi Corporation
FST31180
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel