casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / DB5S309K0R
Número da peça de fabricante | DB5S309K0R |
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Número da peça futura | FT-DB5S309K0R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DB5S309K0R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 2 Independent |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 100mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 100mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 1.3ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 300nA @ 10V |
Temperatura de funcionamento - junção | 125°C (Max) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-665 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-665 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB5S309K0R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DB5S309K0R-FT |
MBR1060CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR20100CS2-G1
Diodes Incorporated
MBR20100CS2TR-E1
Diodes Incorporated
MBR20100CS2TR-G1
Diodes Incorporated
MBR20150CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR20200CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR20200CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR2045CT-E1
Diodes Incorporated
MBR20H100CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR20H100CTF-G1
Diodes Incorporated
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel