casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / DB2G43200L1
Número da peça de fabricante | DB2G43200L1 |
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Número da peça futura | FT-DB2G43200L1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DB2G43200L1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Atual - Média Retificada (Io) | 2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 520mV @ 2A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 14ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 400µA @ 40V |
Capacitância @ Vr, F | 47pF @ 10V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0404 (1010 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DCSP1010010-N1 |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB2G43200L1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DB2G43200L1-FT |
QH08TZ600
Power Integrations
LXA20T600
Power Integrations
LQA30T300
Power Integrations
QH03TZ600
Power Integrations
QH12TZ600
Power Integrations
LQA03TC600
Power Integrations
LQA06T300
Power Integrations
LQA05TC600
Power Integrations
LQA16T300
Power Integrations
LXA10T600
Power Integrations
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel