casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / DB2G42600L1
Número da peça de fabricante | DB2G42600L1 |
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Número da peça futura | FT-DB2G42600L1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DB2G42600L1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 8.7ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 30µA @ 40V |
Capacitância @ Vr, F | 28pF @ 10V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0402 (1006 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0402 (1005 Metric) |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB2G42600L1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DB2G42600L1-FT |
LQA08TC600
Power Integrations
QH08TZ600
Power Integrations
LXA20T600
Power Integrations
LQA30T300
Power Integrations
QH03TZ600
Power Integrations
QH12TZ600
Power Integrations
LQA03TC600
Power Integrations
LQA06T300
Power Integrations
LQA05TC600
Power Integrations
LQA16T300
Power Integrations
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel