Número da peça de fabricante | DB106G |
---|---|
Número da peça futura | FT-DB106G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DB106G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 800V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB106G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DB106G-FT |
RDBF254-13
Diodes Incorporated
RDBF256-13
Diodes Incorporated
RDBF258-13
Diodes Incorporated
RDBF31-13
Diodes Incorporated
RDBF32-13
Diodes Incorporated
RDBF34-13
Diodes Incorporated
RDBF36-13
Diodes Incorporated
RDBF38-13
Diodes Incorporated
TT410-13
Diodes Incorporated
B483H-2T
Sensata-Crydom
LCMXO2-2000HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-3FTG256E
Xilinx Inc.
XC7A12T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K10FC256-2N
Intel
5SGSMD5H3F35C2L
Intel
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQ100
Microsemi Corporation
EP1S40F1508C7N
Intel