casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / DA227YT2R
Número da peça de fabricante | DA227YT2R |
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Número da peça futura | FT-DA227YT2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DA227YT2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Configuração de diodo | 2 Independent |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 100mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 4ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 70V |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-75-4, SOT-543 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMD4 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DA227YT2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DA227YT2R-FT |
82CNQ030
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83CNQ100
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80CNQ035
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XC6SLX150T-3FGG676C
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LFE2M70SE-6F1152I
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LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
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EP3SL200H780I3N
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EP2AGX125DF25I3
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5SGXEA9K2H40I3L
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XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
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