casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / D3501N42TVFXPSA1

| Número da peça de fabricante | D3501N42TVFXPSA1 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-D3501N42TVFXPSA1 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| D3501N42TVFXPSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de Diodo | Standard |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 4200V |
| Atual - Média Retificada (Io) | 4870A |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
| Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100mA @ 4200V |
| Capacitância @ Vr, F | - |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Pacote / caso | DO-200AE |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | BG-D12035K-1 |
| Temperatura de funcionamento - junção | 160°C (Max) |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| D3501N42TVFXPSA1 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | D3501N42TVFXPSA1-FT |

BYG10DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation

XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.

APA600-PQG208I
Microsemi Corporation

EP1S10F484C5N
Intel

EP1S10F484C6
Intel

A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation

LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation

10AX090U3F45I2LG
Intel

5CGXFC4C6M13C7N
Intel

EP3C55F780C7
Intel