casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / CY7C1612KV18-300BZXI
Número da peça de fabricante | CY7C1612KV18-300BZXI |
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Número da peça futura | FT-CY7C1612KV18-300BZXI |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
CY7C1612KV18-300BZXI Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, QDR II |
Tamanho da memória | 144Mb (8M x 18) |
Freqüência do relógio | 300MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 165-LBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 165-FBGA (15x17) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1612KV18-300BZXI Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CY7C1612KV18-300BZXI-FT |
S29GL512T10DHI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N11DFIV22
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DFI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T10DHI010
Cypress Semiconductor Corp
S29AL016J55FFA023
Cypress Semiconductor Corp
S29AL016J55FFM023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10DHA020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10DHA023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N11DFIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DAI010
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