casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / CY7C1426KV18-250BZC
Número da peça de fabricante | CY7C1426KV18-250BZC |
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Número da peça futura | FT-CY7C1426KV18-250BZC |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
CY7C1426KV18-250BZC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, QDR II |
Tamanho da memória | 36Mb (4M x 9) |
Freqüência do relógio | 250MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 165-LBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1426KV18-250BZC Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CY7C1426KV18-250BZC-FT |
S34ML08G201TFV000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G201TFV003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML16G202TFI200
Cypress Semiconductor Corp
S34ML16G202TFI203
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S34MS01G200TFA000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFA003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFB000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFB003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFI003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFI903
Cypress Semiconductor Corp