casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / CY7C1423KV18-300BZXC
Número da peça de fabricante | CY7C1423KV18-300BZXC |
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Número da peça futura | FT-CY7C1423KV18-300BZXC |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
CY7C1423KV18-300BZXC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, DDR II |
Tamanho da memória | 36Mb (2M x 18) |
Freqüência do relógio | 300MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 165-LBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1423KV18-300BZXC Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CY7C1423KV18-300BZXC-FT |
S34ML08G201TFI003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G201TFV000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G201TFV003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML16G202TFI200
Cypress Semiconductor Corp
S34ML16G202TFI203
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFA000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFA003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFB000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFB003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFI003
Cypress Semiconductor Corp
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel