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Número da peça de fabricante | CV201210-R18K |
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Número da peça futura | FT-CV201210-R18K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CV201210 |
CV201210-R18K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 180nH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 250mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 400 mOhm Max |
Q @ Freq | 20 @ 25MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 185MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 25MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.041" (1.05mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CV201210-R18K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CV201210-R18K-FT |
CW160808-82NJ
Bourns Inc.
CW160808-8N2J
Bourns Inc.
CW160808-R10G
Bourns Inc.
CW160808-R12G
Bourns Inc.
CW160808-R12J
Bourns Inc.
CW160808-R15G
Bourns Inc.
CW160808-R15J
Bourns Inc.
CW160808-R18G
Bourns Inc.
CW160808-R18J
Bourns Inc.
CW160808-R22G
Bourns Inc.
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel