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Número da peça de fabricante | CV201210-6R8K |
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Número da peça futura | FT-CV201210-6R8K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CV201210 |
CV201210-6R8K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 6.8µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 15mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 1 Ohm Max |
Q @ Freq | 45 @ 4MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 29MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 4MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.057" (1.45mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CV201210-6R8K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CV201210-6R8K-FT |
CW160808-68NJ
Bourns Inc.
CW160808-6N8J
Bourns Inc.
CW160808-72NJ
Bourns Inc.
CW160808-82NG
Bourns Inc.
CW160808-82NJ
Bourns Inc.
CW160808-8N2J
Bourns Inc.
CW160808-R10G
Bourns Inc.
CW160808-R12G
Bourns Inc.
CW160808-R12J
Bourns Inc.
CW160808-R15G
Bourns Inc.
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel