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Central Semiconductor Corp CTLDM8120-M621H TR

Name: CTLDM8120-M621H TR
Brand: Central Semiconductor Corp
SKU: CTLDM8120-M621H TR
Availability: InStock
Rating: 4.9 (91 reviews)

Número da peça MFG: CTLDM8120-M621H TR

Quantidade disponível: 58140 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Central Semiconductor Corp

Descrição breve: - MOSFET P-CH 20V DFN6

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: CTLDM8120-M621H TR.pdf

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CTLDM8120-M621H TR Especificações

Número da peça de fabricante	CTLDM8120-M621H TR
Número da peça futura	FT-CTLDM8120-M621H TR
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
CTLDM8120-M621H TR Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	950mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	3.56nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	200pF @ 16V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.6W (Ta)
Temperatura de operação	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TLM621H
Pacote / caso	6-XFDFN Exposed Pad
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CTLDM8120-M621H TR Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	CTLDM8120-M621H TR-FT

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