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CTLDM8120-M621H TR Image

Central Semiconductor Corp CTLDM8120-M621H TR

Número da peça MFG
CTLDM8120-M621H TR
Quantidade disponível
58140 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Central Semiconductor Corp
Descrição breve
- MOSFET P-CH 20V DFN6
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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CTLDM8120-M621H TR Especificações

Número da peça de fabricante CTLDM8120-M621H TR
Número da peça futura FT-CTLDM8120-M621H TR
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
CTLDM8120-M621H TR Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 950mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 3.56nC @ 4.5V
Vgs (máx.) 8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 16V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 1.6W (Ta)
Temperatura de operação -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TLM621H
Pacote / caso 6-XFDFN Exposed Pad
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CTLDM8120-M621H TR Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição CTLDM8120-M621H TR-FT

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