casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / CSD25201W15
Número da peça de fabricante | CSD25201W15 |
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Número da peça futura | FT-CSD25201W15 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | NexFET™ |
CSD25201W15 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | -6V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.5W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 9-DSBGA |
Pacote / caso | 9-UFBGA, DSBGA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD25201W15 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CSD25201W15-FT |
TPH2R506PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH2R608NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH3300CNH,L1Q
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TPH4R50ANH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH5200FNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH6R003NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH7R006PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH8R008NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH8R903NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2VP4-6FGG256C
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XC4052XL-3HQ304C
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XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
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A42MX36-PQ208I
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M2GL090TS-1FGG676I
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LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
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EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
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