casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / CSD23201W10
Número da peça de fabricante | CSD23201W10 |
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Número da peça futura | FT-CSD23201W10 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | NexFET™ |
CSD23201W10 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 12V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | -6V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 6V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 4-DSBGA (1x1) |
Pacote / caso | 4-UFBGA, DSBGA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD23201W10 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CSD23201W10-FT |
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LCMXO2-1200ZE-2TG144I
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XC3S1400AN-4FGG484C
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LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
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