casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / CSD20060D
Número da peça de fabricante | CSD20060D |
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Número da peça futura | FT-CSD20060D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Zero Recovery™ |
CSD20060D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 16.5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200µA @ 600V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD20060D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CSD20060D-FT |
MBR60020CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR60020CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR60030CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR60030CTRL
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MBR60035CTL
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MBR60035CTRL
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MBR60040CTL
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MBR60045CTL
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MBR60045CTRL
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AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
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5SGXMB6R1F40I2N
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EP4SGX530KH40C4N
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XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
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