casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / CSD20030D
Número da peça de fabricante | CSD20030D |
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Número da peça futura | FT-CSD20030D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Zero Recovery™ |
CSD20030D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 10A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200µA @ 300V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD20030D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CSD20030D-FT |
MBR40045CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR60020CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR60020CTRL
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MBR60030CTL
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MBR60030CTRL
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XC3S1400A-4FGG676C
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XC7A25T-1CPG238I
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