casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / CSD17313Q2Q1T
Número da peça de fabricante | CSD17313Q2Q1T |
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Número da peça futura | FT-CSD17313Q2Q1T |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | NexFET™ |
CSD17313Q2Q1T Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 8V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 4A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | +10V, -8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.4W (Ta), 17W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-WSON (2x2) |
Pacote / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD17313Q2Q1T Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CSD17313Q2Q1T-FT |
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Microsemi Corporation
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LCMXO2-7000HE-4FG484C
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5CGXFC9C6F23I7N
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EP20K200CB356C9
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EPF8820AQC208-4AA
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