casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / CP647-MJ11015-WN
Número da peça de fabricante | CP647-MJ11015-WN |
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Número da peça futura | FT-CP647-MJ11015-WN |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
CP647-MJ11015-WN Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Darlington |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 30A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 120V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 300mA, 30A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30A, 5V |
Potência - Max | - |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Die |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Die |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CP647-MJ11015-WN Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CP647-MJ11015-WN-FT |
BDW93CPWD
ON Semiconductor
BDW94-S
Bourns Inc.
BDW94A-S
Bourns Inc.
BDW94B-S
Bourns Inc.
BDW94C-S
Bourns Inc.
BDX33A-S
Bourns Inc.
BDX33B-S
Bourns Inc.
BDX33C-S
Bourns Inc.
BDX33D-S
Bourns Inc.
BDX34A-S
Bourns Inc.
XC6SLX100-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C2LN
Intel
5SGXMABK3H40C2LN
Intel
EP1AGX60EF1152I6N
Intel
EP3SL200F1152I4N
Intel
XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel
EP4SGX180FF35C2X
Intel