casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIH02T6N2JNC
Número da peça de fabricante | CIH02T6N2JNC |
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Número da peça futura | FT-CIH02T6N2JNC |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIH02T |
CIH02T6N2JNC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 6.2nH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 140mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 1.5 Ohm Max |
Q @ Freq | 2 @ 100MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 5.5GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 01005 (0402 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 01005 (0402 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.016" L x 0.008" W (0.40mm x 0.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.009" (0.22mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH02T6N2JNC Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIH02T6N2JNC-FT |
CIH02T1N2CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N2SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N3BNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N3CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N3SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N4BNC
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CIH02T1N4SNC
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CIH02T1N5BNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N5CNC
Samsung Electro-Mechanics
XC3S50AN-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation