casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIH02T5N1SNC
Número da peça de fabricante | CIH02T5N1SNC |
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Número da peça futura | FT-CIH02T5N1SNC |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIH02T |
CIH02T5N1SNC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 5.1nH |
Tolerância | ±0.3nH |
Classificação atual | 160mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 1.4 Ohm Max |
Q @ Freq | 2 @ 100MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 6GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 01005 (0402 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 01005 (0402 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.016" L x 0.008" W (0.40mm x 0.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.009" (0.22mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH02T5N1SNC Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIH02T5N1SNC-FT |
CIH02T1N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N1BNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N1CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N1SNC
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CIH02T1N2BNC
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Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N3SNC
Samsung Electro-Mechanics
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel