casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIGW201610GM4R7SLE
Número da peça de fabricante | CIGW201610GM4R7SLE |
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Número da peça futura | FT-CIGW201610GM4R7SLE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGW |
CIGW201610GM4R7SLE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 4.7µH |
Tolerância | ±0.3nH |
Classificação atual | - |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW201610GM4R7SLE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGW201610GM4R7SLE-FT |
CIG22H2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H3R3MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22HR33MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22HR47MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22HR56MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L1R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22LR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel